PMZ370UNEYL

功能描述:MOSFET N-CH 30V 0.9A XQFN3

制造商:nexperia usa inc.

系列:-

包装:剪切带(CT)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):900mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.05V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):1.16nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±8V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):78pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):360mW(Ta),2.7W(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):490 毫欧 @ 500mA,4.5V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:DFN1006-3

封装/外壳:SC-101,SOT-883

标准包装:1

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